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分立器件
晶 圆
IGBT模块
封装
C1
C2
E1
E1A
E2A
E2
P2
P3
集电极发射极电压VCES min. (V)
1200
集电极电流IC @TC=80℃ (A)
450
150
200
300
10
15
40
25
35
50
75
100
饱和压降VCE(sat)typ. (V)
2
3.1
2.1
2.25
1.75
3
1.9
1.85
最大耗散功率PD max (W)
11.2
16.7
22.55
40.2
7.25
13.9
18.6
28.4
7.3
7.63
13.3
19.4
27.7
32.2
31.6
54
27.9
48.5
57.9
75.8
29.4
41.6
58.5
2.3
2.98
9.09
4.58
7.66
13.06
15.2
22.6
1.53
2.58
4.56
6.27
关断能量损耗典型值Eoff typ.Tj=125℃ (mJ)
0.26
0.155
0.4
0.31
0.19
0.185
0.18
0.12
0.065
0.11
0.09
0.06
1.25
1.15
0.9
0.66
0.52
0.339
0.27
1.43
1.05
0.68
0.43
最大结-壳热阻Rth(j-c)max.(℃/W)
C1
C2
E1
E1A
E2A
E2
P2
P3
型号
规格书
集电极发射极电压VCES min. (V)
集电极电流IC @TC=80℃ (A)
饱和压降VCE(sat)typ. (V)
关断能量损耗典型值Eoff typ.Tj=125℃ (mJ)
最大结-壳热阻Rth(j-c)max.(℃/W)
封装
MG35P12P3
1200
35
1.85
6.27
0.43
P3
MG25P12P3
1200
25
1.85
4.56
0.68
P3
MG15P12P3
1200
15
1.85
2.58
1.05
P3
MG15P12P2
1200
15
1.85
2.58
1.05
P2
MG10P12P2
1200
10
1.85
1.53
1.43
P2
MG100P12E2
1200
100
1.85
22.6
0.27
E2
MG75P12E2
1200
75
1.85
15.2
0.339
E2
MG50P12E2
1200
50
1.9
13.06
0.52
E2
MG75P12E2A
1200
75
1.85
15.2
0.339
E2A
MG50P12E2A
1200
50
1.9
13.06
0.52
E2A
MG50P12E1A
1200
50
1.9
13.06
0.52
E1A
MG35P12E1A
1200
35
1.85
7.66
0.66
E1A
MG25P12E1A
1200
25
1.85
4.58
0.9
E1A
MG40P12E1
1200
40
1.9
9.09
0.66
E1
MG25P12E1
1200
25
1.85
4.58
0.9
E1
MG15P12E1
1200
15
1.85
2.98
1.15
E1
MG10P12E1
1200
10
1.85
2.3
1.25
E1
MG300HF12LEC2
1200
300
3
58.5
0.06
C2
MG200HF12LEC2
1200
200
3
41.6
0.09
C2
MG150HF12LEC2
1200
150
3
29.4
0.11
C2
MG450HF12TLC2
1200
450
1.9
75.8
0.065
C2
MG300HF12TLC2
1200
300
1.9
57.9
0.09
C2
MG200HF12TLC2
1200
200
1.75
48.5
0.12
C2
MG150HF12TLC2
1200
150
1.85
27.9
0.18
C2
MG450HF12TFC2
1200
450
2.25
54
0.065
C2
MG300HF12TFC2
1200
300
2.25
31.6
0.09
C2
MG200HF12TFC2
1200
200
2.1
32.2
0.12
C2
MG150HF12TFC2
1200
150
2.1
27.7
0.18
C2
MG100HF12LEC1
1200
100
3
19.4
0.185
C1
MG75HF12LEC1
1200
75
3
13.3
0.19
C1
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