IGBT模块
封装
  • C1
  • C2
  • E1
  • E1A
  • E2A
  • E2
  • P2
  • P3
集电极发射极电压VCES min. (V)
  • 1200
集电极电流IC @TC=80℃ (A)
  • 450
  • 150
  • 200
  • 300
  • 10
  • 15
  • 40
  • 25
  • 35
  • 50
  • 75
  • 100
饱和压降VCE(sat)typ. (V)
  • 2
  • 3.1
  • 2.1
  • 2.25
  • 1.75
  • 3
  • 1.9
  • 1.85
最大耗散功率PD max (W)
  • 11.2
  • 16.7
  • 22.55
  • 40.2
  • 7.25
  • 13.9
  • 18.6
  • 28.4
  • 7.3
  • 7.63
  • 13.3
  • 19.4
  • 27.7
  • 32.2
  • 31.6
  • 54
  • 27.9
  • 48.5
  • 57.9
  • 75.8
  • 29.4
  • 41.6
  • 58.5
  • 2.3
  • 2.98
  • 9.09
  • 4.58
  • 7.66
  • 13.06
  • 15.2
  • 22.6
  • 1.53
  • 2.58
  • 4.56
  • 6.27
关断能量损耗典型值Eoff typ.Tj=125℃ (mJ)
  • 0.26
  • 0.155
  • 0.4
  • 0.31
  • 0.19
  • 0.185
  • 0.18
  • 0.12
  • 0.065
  • 0.11
  • 0.09
  • 0.06
  • 1.25
  • 1.15
  • 0.9
  • 0.66
  • 0.52
  • 0.339
  • 0.27
  • 1.43
  • 1.05
  • 0.68
  • 0.43
最大结-壳热阻Rth(j-c)max.(℃/W)
  • C1
  • C2
  • E1
  • E1A
  • E2A
  • E2
  • P2
  • P3
型号 规格书 集电极发射极电压VCES min. (V) 集电极电流IC @TC=80℃ (A) 饱和压降VCE(sat)typ. (V) 关断能量损耗典型值Eoff typ.Tj=125℃ (mJ) 最大结-壳热阻Rth(j-c)max.(℃/W) 封装
MG50HF12LEC1 1200 50 3.1 7.63 0.31 C1
MG40HF12LEC1 1200 40 2 7.3 0.4 C1
MG150HF12TFC1 1200 150 2.1 28.4 0.155 C1
MG100HF12TFC1 1200 100 2.1 18.6 0.19 C1
MG75HF12TFC1 1200 75 2.1 13.9 0.26 C1
MG50HF12TFC1 1200 50 2.1 7.25 0.52 C1
MG150HF12TLC1 1200 150 1.9 40.2 0.155 C1
MG100HF12TLC1 1200 100 1.85 22.55 0.19 C1
MG75HF12TLC1 1200 75 1.85 16.7 0.26 C1
MG50HF12TLC1 1200 50 1.85 11.2 0.31 C1