N40-150V SGT MOS
2020-11-12
产品介绍
Split Gate Trench MOSFET 屏蔽栅沟槽型功率MOSFET系列产品采用电荷平衡功能的屏蔽栅深沟槽技术，全面提升器件的开关特性和导通特性，同时降低了器件的特征导通电阻(Rsp)和栅极电荷（Qg）。
产品特点
1、优异的开关特性和导通特性；
2、更好的导通电阻温度特性，显著增强器件高温下的电流能力和抗冲击特性；
3、配合先进的封装技术，SGT MOSFET器件有助于提升系统效率和功率密度；
4、另有P-60/-80/-100V SGT MOSFET。
N40-150V SGT MOS 规格书