ESD防护芯片
Unidirectional/bidirectional
  • U
  • B
Channel
  • 1
Top Metal
  • AlSiCu
Back Metal
  • TiNiAg
  • Au
Die Size
  • 370
  • 220
Die Size (Width/um)
  • 370
  • 220
Wafer Saw(um)
  • 40
Thickness(um)
  • 155
Vrwm(V)
  • 3.3
  • 5.0
  • 7.0
  • 18
  • 24
Vbr(V@1mA)
  • 5.8
  • 7.1
  • 8.5
  • 20
  • 26
  • 4.8
IR(uA)
  • 0.5
Cj(pf)
  • 165
  • 118
  • 96
  • 37
  • 35
  • 15
Ipp(A)
  • 25
  • 20
  • 17
  • 9
  • 7.5
  • 10
Vcc(V@Ippmax)
  • 10
  • 11
  • 12
  • 32
  • 38
ESD(kV)
  • 30
型号 规格书 Unidirectional/bidirectional Channe Top Metal Back Metal Die Size (Length/um) Die Size (Width/um) Wafer Saw(um) Thickness(um) Vrwm(V) Vbr(V@1mA) IR(uA) Cj(pf) Ipp(A) Vcc(V@Ippmax) ESD(kV)
TES220BC3V3AG1-155A B 1 AlSiCu Au 220 220 40 155 3.3 4.8 0.5 15 10 10 30
PES370DA24VAG1-155A U 1 AlSiCu Au 370 370 40 155 24 26 0.5 35 7.5 38 30
PES370DA18VAG1-155A U 1 AlSiCu Au 370 370 40 155 18 20 0.5 37 9 32 30
PES370DA7V0AG1-155A U 1 AlSiCu Au 370 370 40 155 7.0 8.5 0.5 96 17 12 30
PES370DA7V0AS1-155A U 1 AlSiCu TiNiAg 370 370 40 155 7.0 8.5 0.5 96 17 12 30
PES370DA5V0AG1-155A U 1 AlSiCu Au 370 370 40 155 5.0 7.1 0.5 118 20 11 30
PES370DA5V0AS1-155A U 1 AlSiCu TiNiAg 370 370 40 155 5.0 7.1 0.5 118 20 11 30
PES370DA3V3AG1-155A U 1 AlSiCu Au 370 370 40 155 3.3 5.8 0.5 165 25 10 30
PES370DA3V3AS1-155A U 1 AlSiCu TiNiAg 370 370 40 155 3.3 5.8 0.5 165 25 10 30