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分立器件
晶 圆
IGBT单管
封装
C1
C2
E1
E1A
E2A
E2
P2
P3
集电极-发射极电压VCES min. (V)
1200
集电极电流 IC @ TC=80℃ (A)
450
150
200
300
10
15
40
25
35
50
75
100
型号
规格书
集电极-发射极电压VCES min.(V)
集电极电流IC @ TC=80℃(A)
饱和压降VCE(sat)typ.(V)
开关能量损耗典型值Eon+Eoff typ.Tj=125℃(mJ)
最大结-壳热阻Rth(j-c)max.(℃/W)
封装
DGW50N65CTH
650
50
1.95
3.23
0.59
TO-247
DGW60N65BTH
650
60
1.85
3.09
0.48
TO-247
DGW50N65BTH
650
50
1.65
2.87
0.48
TO-247
DGW40N65BTH
650
40
1.7
3.9
0.3
TO-247
DGW30N65BTH
650
30
1.9
1.8
0.8
TO-247
DGW40N120CTL
1200
40
1.9
8.8
0.35
TO-247
DGW15N120CTL
1200
15
1.9
3.95
0.75
TO-247
DGW40N120BTH
1200
40
1.7
3.9
0.3
TO-247
DGW25N120BTH
1200
25
1.65
2.95
0.5
TO-247
DGW15N120BTH
1200
15
1.7
2.21
0.65
TO-247
DGW10N120BTH
1200
10
1.6
1.37
0.69
TO-247