IGBT单管
封装
  • C1
  • C2
  • E1
  • E1A
  • E2A
  • E2
  • P2
  • P3
集电极-发射极电压VCES min. (V)
  • 1200
集电极电流 IC @ TC=80℃ (A)
  • 450
  • 150
  • 200
  • 300
  • 10
  • 15
  • 40
  • 25
  • 35
  • 50
  • 75
  • 100
型号 规格书 集电极-发射极电压VCES min.(V) 集电极电流IC @ TC=80℃(A) 饱和压降VCE(sat)typ.(V) 开关能量损耗典型值Eon+Eoff typ.Tj=125℃(mJ) 最大结-壳热阻Rth(j-c)max.(℃/W) 封装
DGW50N65CTH 650 50 1.95 3.23 0.59 TO-247
DGW60N65BTH 650 60 1.85 3.09 0.48 TO-247
DGW50N65BTH 650 50 1.65 2.87 0.48 TO-247
DGW40N65BTH 650 40 1.7 3.9 0.3 TO-247
DGW30N65BTH 650 30 1.9 1.8 0.8 TO-247
DGW40N120CTL 1200 40 1.9 8.8 0.35 TO-247
DGW15N120CTL 1200 15 1.9 3.95 0.75 TO-247
DGW40N120BTH 1200 40 1.7 3.9 0.3 TO-247
DGW25N120BTH 1200 25 1.65 2.95 0.5 TO-247
DGW15N120BTH 1200 15 1.7 2.21 0.65 TO-247
DGW10N120BTH 1200 10 1.6 1.37 0.69 TO-247