封装 |
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反向重复峰值电压VRRM (V) |
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正向平均电流IF(AV) d=0.5Tc=125℃ (A) |
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浪涌电流IFSMt=8.3msTj=45℃ (A) |
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正向压降VF@IFTj=125℃(V) |
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正向压降VF@IFTj=125℃(A) |
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结-壳热阻Rth(j-c)per chip(℃/W) |
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