肖特基模块
封装
  • F3
  • F4
  • F4N
  • FJ
反向重复峰值电压VRRM (V)
  • 100
  • 200
正向平均电流IF(AV) d=0.5Tc=125℃ (A)
  • 2X100
  • 2X200
  • 2X300
  • 2X400
  • 300
浪涌电流IFSMt=8.3msTj=45℃ (A)
  • 1500
  • 3000
  • 4000
  • 5800
  • 4750
正向压降VF@IFTj=125℃(V)
  • 0.68
  • 0.68
  • 0.78
  • 0.82
正向压降VF@IFTj=125℃(A)
  • 100
  • 300
  • 100
  • 300
结-壳热阻Rth(j-c)per chip(℃/W)
  • /
  • 3000,1min
型号 规格书 反向重复峰值电压VRRM (V) 正向平均电流IF(AV) d=0.5Tc=125℃ (A) 浪涌电流IFSMt=8.3msTj=45℃ (A) 正向压降VF@IFTj=125℃(V) 正向压降VF@IFTj=125℃(A) 结-壳热阻Rth(j-c)per chip(℃/W) 绝缘耐压 Visol(V) 封装
MB300U02FJ 200 300 4750 0.90 300 0.13 3000,1min FJ
MB200DU02FJ 200 2X100 1500 0.79 100 0.16 3000,1min FJ
MB200DU01FJ 100 2X100 1500 0.68 100 0.15 3000,1min FJ
MB400K02F4N 200 2X200 3000 0.78 200 0.15 / F4N
MB400K01F4N 100 2X200 3000 0.68 200 0.15 / F4N
MB400K02F4 200 2X200 3000 0.78 200 0.15 / F4
MB400K01F4 100 2X200 3000 0.68 200 0.15 / F4
MB800K01F3 100 2X400 5800 0.82 400 0.15 / F3
MB600K01F3 100 2X300 4000 0.78 300 0.14 / F3
MB400K02F3 200 2x200 3000 0.78 200 0.15 / F3
MB400K01F3 100 2X200 3000 0.68 200 0.15 / F3
MB200K01F3 100 2X100 1500 0.68 100 0.15 / F3