晶闸管模块
封装
  • T1
  • T1D
  • T2
正向重复峰值电压/反向重复峰值电压VDRM / VRRM (V)
  • 800
  • 1200
  • 1600
  • 1800
  • 2200
通态平均电流ITAV@TC=85℃(A)
  • 25
  • 40
  • 60
  • 90
  • 110
  • 130
  • 160
  • 200
通态浪涌电流ITSM 10ms(A)
  • 550
  • 1000
  • 1500
  • 2000
  • 2250
  • 4700
  • 5400
  • 5500
正向重复峰值电流/反向重复峰值电流IDRM / IRRM 125℃(mA)
  • 10
  • 15
  • 20
  • 40
  • 50
通态压降@通态电流VTM@IT (V)
  • 1.80
  • 1.95
  • 1.65
  • 1.75
  • 1.68
通态压降@通态电流VTM@IT(A)
  • 75
  • 200
  • 300
  • 500
最触发电流IGT (mA)
  • 150
  • 200
触发电压VGT(V)
  • 2.5
  • 3.0
结-壳热阻Rth(j-c) (℃/W)
  • 0.45
  • 0.33
  • 0.29
  • 0.14
  • 0.09
  • 0.085
  • 0.08
  • 0.16
型号 规格书 正向重复峰值电压/反向重复峰值电压VDRM / VRRM (V) 通态平均电流ITAV@TC=85℃(A) 通态浪涌电流ITSM 10ms(A) 正向重复峰值电流/反向重复峰值电流IDRM / IRRM 125℃(mA) 通态压降@通态电流VTM@IT (V) 通态压降@通态电流VTM@IT (A) 最触发电流IGT (mA) 触发电压VGT(V结-壳热阻Rth(j-c) (℃/W) 封装
MT60C16T1 1600 60 1500 15 1.65 200 150 3.00.29T1
MT60C12T1 1200 60 1500 15 1.65 200 150 3.00.29T1
MT60C08T1 800 60 1500 15 1.65 200 150 3.00.29T1
MT40C18T1 1800 40 1000 15 1.95 200 150 2.50.33T1
MT40C16T1 1600 40 1000 15 1.95 200 150 2.50.33T1
MT40C12T1 1200 40 1000 15 1.95 200 150 2.50.33T1
MT40C08T1 800 40 1000 15 1.95 200 150 2.50.33T1
MT25C18T1 1800 25 550 10 1.80 75 150 2.50.45T1
MT25C16T1 1600 25 550 10 1.80 75 150 2.50.45T1
MT25C12T1 1200 25 550 10 1.80 75 150 2.50.45T1
MT25C08T1 800 25 550 10 1.80 75 150 2.50.45T1