高压Mosfet
封装
  • 380
漏电流
  • TO-252
  • ITO-220AB
漏源耐压Min
  • Single
漏源耐压Typ
  • N
导通电阻Typ
  • 650
导通电阻Max
  • 12
阈值电压Min
  • 83
  • 62.5
阈值电压Typ
  • ±30
阈值电压Max
  • 2.5
栅源电压
    3.8
漏源漏电流
  • 5
栅源漏电流
  • 280
型号 规格书 封装类型Package 结构Configuration 产品极性Type 漏源电压VDSS (V) 工作电流ID (A) 耗散功率Pd(W) 栅源电压VGS (V) 阈值电压Vth(V)Min 阈值电压Vth(V)Typ 阈值电压Vth(V)Max 导通电阻Rdson(mΩ) @VGS10V Typ 导通电阻Rdson(mΩ) @VGS10V Max 导通电阻Rdson(mΩ) @VGS4.5V Typ 导通电阻Rdson(mΩ) @VGS4.5V Max 导通电阻Rdson(mΩ) @VGS2.5V Typ 导通电阻Rdson(mΩ) @VGS2.5V Max 导通电阻Rdson(mΩ) @VGS1.8V Typ 导通电阻Rdson(mΩ) @VGS1.8V Max 输入电容Ciss(pF) 输出电容Coss(pF) 反向传输电容Crss(pF) 栅极电荷Qg(nC) 产品状态Status 产品等级Grade
YJF12C65H ITO-220AB Single N 650 12 62.5 ±30 2.5 3.8 5 280 380 - - - - - - 1050 30 3 25 Active
YJD12C65H TO-252 Single N 650 12 83 ±30 2.5 3.8 5 280 380 - - - - - - 1020 30 4 25 Active